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2024/11/28 13:26:19
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2024/11/20 7:12:43
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2024/11/22 6:01:18
AlGaN/GaN结构的氧基数字蚀刻
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宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构,这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一…
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2024/11/20 7:12:46